Цифровые микросхемы IR® в составе модуля питания ЦП |
В системных платах GIGABYTE семейства G1-Killer применяются передовые PWM-контроллеры и регуляторы напряжения PowIRstage™ производства компании International Rectifier®. Эти 100% цифровые компоненты обеспечивают исключительное качество питания процессоров Intel® Core четвертого поколения. Изначально разработанные для совместной работы друг с другом, пример для отраслевых стандартов – PWM-контроллеры и регуляторы напряжения IR™ обеспечивают оптимальные параметры и эффективную работу модуля преобразования напряжения питания ключевых компонентов современного компьютера, что является непременным условием для проектирования высокопроизводительных ПК нового поколения.
|
| |
Комплексное решение от
International Rectifier (IR®) |
 |
|
| |
|
| |
|
| |
Микросхемы IR® цифрового PWM-контроллера |
| |
|
|
|
|
| |
Микросхемы IR® цифрового PWM-контроллера |
Цифровой модуль питания |
| |
|
Процессор ОЗУ |
ОЗУ |
|
|
|
Однокомпонентный дизайн |
Компании International Rectifier разработала специальную технологию изготовления транзисторов в корпусе DirectFET®, что позволяет достигнуть рекордно высоких показателей эффективности изделия по сравнению с типовыми MCM-решениями (корпус Multi-chip Module). |
| |
| Однокомпонентный дизайн* vs Многокомпонентный дизайн |
| |
P-канальный МОП-транзистор |
| |
|
Драйвер МС |
|
| |
N-канальный
МОП-транзистор |
|
|
Принцип размещения МОП-транзисторов, который характерен для многокомпонентного дизайна, иной. Ключевые элементы (P/N-канальные полевые транзисторы и микросхема драйвера) располагаются рядом друг с другом, занимают существенно большую площадь печатной платы, менее защищены от электрических помех и негативного влияния токов утечки. |
|
|
P-канальный МОП-транзистор
(Типовой МОП-транзистор) |
| |
N-канальный
МОП-транзистор
(Типовой МОП-транзистор) |
| |
Драйвер МС
(MOSFET драйвер) |
| |
|
|
Дизайн цифрового PWM-контроллера и МС PowIRstage® может варьироваться в зависимости от модели. |
| |
Микросхема PowIRstage
(официальное название IR3550 PowIRstage® ) |
Lower RDS(on)
МОП-транзистор
(WPAK, PowerPAK MOSFET...) |
| |
|
8 контактов
(контактов |
Типовой МОП-транзистор (D-Pak MOSFET...) |
| |
|
3 контактов
1 справа, 2 слева |
| |
Шаг между контактами - величина постоянная |
|
|
Ultra охлаждение, Ultra эффективность,
Ultra производительность |
| |
Типовой МОП-транзистор |
Регулятор напряжения IR3550 PowIRstage® |
|
|
| |
* Результаты тестирования актуальны только для приведённой конфигурации и могут отличаться в иных условиях.
* 4-фазный VRM-модуль на базе микросхем IR3550 PowIRstage® в сравнении с 4-фазным VRM-модулем на базе D-Pak МОП-транзисторов под нагрузкой 100 A в течении 10 мин. без радиаторов охлаждения |
| |
Оптимальная температура = Высокий потенциал для оверклокинга |
Перегрев |
Недостаточно мощности для оверклокинга |
В отличие от традиционных МОП-транзисторов, микросхемы IR3550 PowIRstage обеспечивают высокий разгонный потенциал системы на фоне комфортного температурного режима. У каждого силового компонета есть своя пороговая температура, превышение которой, вместе с другими факторами (например, режим Overclocking), может стать причиной неработоспосбности системы. Микросхемы IR3550 PowIRstage отличает высокий запас прочности по напряжению и меньшее значение рабочей температуры. Совокупность указанных характеристк открывает перед опытными пользователями отличные перспективы для результативного оверклокинга. |
|
МОП-транзисторы
и стабильный оверклокинг |
| |
Регулятор напряжения IR3550 PowIRstage® |
Оптимально |
| |
МОП-транзисторы Lower RDS(on)
(WPAK, PowerPAK MOSFET...) |
Хорошо |
| |
Типовой МОП-транзистор
(D-Pak MOSFET... ) |
Приемлемо |
|
|
|
| |
|
Функции и спецификация базовых компонентов могут варьироваться в зависимости от модели. |
Спецификации и изображения могут быть изменены изготовителем без предварительного уведомления. |
Фото изделия эталонного дизайна. |
|
